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rc-sim-analysis
分析 Pcell 设计特征与仿真指标(RC_Loading、Cgs_Cst、HCT、VCT、CCT、RC_waterfall、t10 正负帧/重载、Von_margin 等)之间的关系。当用户给出「Pcell 参数 + 仿真结果」的 Excel 文件时,用于识别 Top 关键特征并归一化重要度、绘制指标分布直方图并叠加正态拟合曲线,或评估设计参数组合是否充分覆盖结果空间、是否需要补充数据。适用于 TFT-LCD / 阵列仿真的灵敏度分析与 DOE(实验设计)前后的效果评估。
模型生成摘要(rules/v1 · 2026-11-14 04:30):分析 Pcell 设计特征与仿真指标(RC_Loading、Cgs_Cst、HCT、VCT、CCT、RC_waterfall、t10 正负帧/重载、Von_margin 等)之间的关系
这是模型对公开材料的总结,不是官方声明,请以原链内容为准。
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存档时间线
| 版本 | 存档时间 | 内容哈希 | 内容 |
|---|---|---|---|
| v1 | 2026-11-14 04:29 | 2d339526 | 可取 |
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