e2008-diode-temperature-behaviour-test

在计划或审核保护二极管的温度行为图时使用。根据 ECSS-E-ST-20-08C 第 9.6.14 条款，在整个声明的操作温度范围内绘制保护二极管的电气参数图：执行温度扫描并拒绝重复温度点，记录温度范围冷热端点的间隙，找出相邻点之间的最大间隙，采用最小二乘法拟合正向电压温度系数，推导反向漏电流翻倍所对应的温度区间，并将两者与其允许范围进行比对。触发条件：ecss、e-st-20-08c-clause-9-6-14、protection-diode-temperature-sweep、diode-forward-voltage-temperature-coefficient、diode-reverse-leakage-doubling-interval、diode-operating-range-endpoint-gap、protection-diode-sweep-step-resolution。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-14 02:39）：在计划或审核保护二极管的温度行为图时使用
这是模型对公开材料的总结，不是官方声明，请以原链内容为准。

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版本	存档时间	内容哈希	内容
v1	2026-11-14 02:39	e759eb3d	可取

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