e2001-analysis-margin-strategy

在根据实际掌握的数据推导 ECSS-E-ST-20-01C 第 5.3.3.1 条的多击穿裕度策略时：将尺寸依据归类为实测硬件、容差最坏情况或标称设计，将二次发射依据归类为表面实测、材料实测或通用文献；在依据薄弱时，采用最小可信间隙和包络产额曲线；根据上述两项不足以及失效后果，以分贝为单位构建所需的多击穿裕度；然后将实现的多击穿裕度进行对比，并指出能够消除最大裕度增量的测量项目。触发条件：ecss、e-st-20-electrical-scope、multipaction-margin-strategy、dimensional-data-basis、yield-data-basis、tolerance-worst-case-gap、bounding-yield-curve、margin-build-up、as-built-gap-measurement。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-13 17:42）：在根据实际掌握的数据推导 ECSS-E-ST-20-01C 第 5
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v1	2026-11-13 17:41	ecacdb73	可取

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