e2006-deliberately-biased-surface-potentials

用于根据ECSS-E-ST-20-06C第6.5条款确定故意偏置的外部表面如何干扰航天器周围的静电势：列出每个受控偏置元件，包括高压阵列串末端、电推进栅极、等离子体接触器、偏置等离子体探针或系绳阳极，并注明其偏置偏移量和暴露的导电面积；评估各元件在试验框架电位下交换的等离子体电流；通过二分法求解航天器浮动条件以确定偏移后的框架电位；确定各元件周围Child定律鞘层范围；并报告snapover起始、电弧起始、框架溅射和鞘层侵入等结果。触发条件：ecss、e-st-20-06c、偏置表面电位、航天器浮动电位偏移、等离子体鞘层范围、snapover起始阈值、高压阵列偏置、电推进偏置耦合、鞘层侵入间隙。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-13 15:36）：用于根据ECSS-E-ST-20-06C第6
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版本	存档时间	内容哈希	内容
v1	2026-11-13 15:34	0cc1001b	可取

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