e2008-blocking-diode-temperature-annealing

用于计划或审计两次辐照后读数之间的退火过程。根据 ECSS-E-ST-20-08C 第 12.6.12 条款，验证阻塞二极管的热退火确实位于第一次和第二次辐照后电学测量之间：按顺序保持四个事件，确保退火浸泡不会与任一读数合并；限定曝光结束与第一次读数之间的等待时间，确保器件在环境条件下尚未恢复；检查浸泡持续时间是否满足其下限要求，并检查浸泡温度是否同时满足其下限和封装额定值上限；确认两次读数所处的温度足够接近，以便进行差值计算；并提取退火所恢复的漂移份额。触发条件：ecss、e-st-20-08c-clause-12-6-12、阻塞二极管退火插入顺序、阻塞二极管辐照后读数对、阻塞二极管浸泡持续时间下限、阻塞二极管封装额定值上限、阻塞二极管读数温度差、阻塞二极管恢复漂移份额。

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