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e2008-protection-diode-burn-in
用于在验收鉴定批次前规划或评审保护二极管老化试验。评估依据ECSS-E-ST-20-08C第9.6.5条款对保护二极管鉴定批次实施的老化试验，是真正消除了早期寿命失效群体，还是仅占用烘箱资源：需推导正向加载和热路径所产生的结温，确定该结温下Arrhenius加速因子的大小，将老化时间转换为等效工作小时数，估算该过程所剔除的婴儿死亡率失效群体的比例，确认所有声明的早期寿命失效机制均有对应参数进行监控，并据此区分出经筛选合格的批次与因失效数量超标而应拒收的批次。触发条件：ecss、e-st-20-08c-clause-9-6-5、protection-diode-burn-in-loading、protection-diode-infant-mortality-screen、protection-diode-junction-temperature-limit、protection-diode-burn-in-equivalent-hours、protection-diode-lot-reject-limit。
模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-13 13:32）：用于在验收鉴定批次前规划或评审保护二极管老化试验
这是模型对公开材料的总结，不是官方声明，请以原链内容为准。
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存档时间线
| 版本 | 存档时间 | 内容哈希 | 内容 |
|---|---|---|---|
| v1 | 2026-11-13 13:31 | 76133e31 | 可取 |
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