e2008-protection-diode-characterization-test

当写入或审核一对环境试验前后的保护二极管数据时，依据 ECSS-E-ST-20-08C 第 9.6.15 条款，判断环境试验是否导致保护二极管性能退化：读取包围该试验的基准表征和后续表征数据，确认两次测量均包含全部所需参数集且器件数量与声明一致；在评估任何漂移前，先确定两次测量之间的结温差异和测试电流差异；随后计算正向电压漂移、反向漏电流增长比率、击穿电压下降幅度以及串联电阻增长幅度。触发条件：ecss、e-st-20-08c-clause-9-6-15、protection-diode-pre-post-bracket、diode-baseline-followup-parameter-set、diode-reference-condition-match、diode-breakdown-voltage-drop-fraction、diode-series-resistance-growth-fraction、protection-diode-degradation-verdict。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-13 13:32）：当写入或审核一对环境试验前后的保护二极管数据时，依据 ECSS-E-ST-20-08C 第 9
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v1	2026-11-13 13:31	9f1d6b21	可取

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