e2008-blocking-diode-characterization

用于编写或审核阻塞二极管退化轨迹时。根据 ECSS-E-ST-20-08C 第 12.6.3 条款，通过读取测试之间的电气特性表征，评估鉴定程序是否导致阻塞二极管退化：确认每次测试均包含完整的参数集、声明的器件数量以及基准参考条件；将每次读数转换为退化分数（无论数值如何变化，分数均为正值）；将第一步测试的消耗与程序累计消耗分离；按各步骤所用自身限值的比例进行排序；并指出造成最大损耗的测试。触发条件：ecss、e-st-20-08c-clause-12-6-3、阻塞二极管退化轨迹、阻塞二极管测试间表征、阻塞二极管单步与累计预算、阻塞二极管参考条件匹配、阻塞二极管退化归因。

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