e2001-single-carrier-analysis-margins

用于推导 ECSS-E-ST-20-01C 第 4.6.2.2 条款下单载波工作模式的标称分析裕度：从所选设计分析等级对应的基础值出发，对最坏情况模型尚未涵盖的每一项不确定性增加其贡献量——包括制造公差散布、二次电子发射产额离散、电磁场模型误差、功率测量不确定度以及温度引起的间隙变化——加上设备类型附加量，仅在重复使用单元保持相同制造工艺路线时扣除设计继承性信用值，将结果保持在声明的下限值，然后将其与实测的 dB 多载波击穿裕度进行比较，并报告裕度不足量。触发条件：ecss、e-st-20-electrical-scope、single-carrier-multipactor、nominal-analysis-margin、margin-contribution-budget、equipment-type-adder、design-heritage-credit、secondary-emission-yield-scatter、multipactor-margin-shortfall。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-13 11:17）：用于推导 ECSS-E-ST-20-01C 第 4
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v1	2026-11-13 11:16	cb563832	可取

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