e2006-common-charging-engineering-concerns

用于评估硬件部件在 ECSS-E-ST-20-06C 第 4.1.2 条款下的航天器充电风险：计算外部表面与其结构参考之间的差分电位，以及与相邻表面的差分电位，将两者及绝对框架电位与静电放电起始阈值进行比较；根据介质的电阻率推导沉积电流密度在其内部驱动的体电场，检查该电场和沉积速率是否超出埋藏电荷击穿限值；标记未接地或高阻抗连接的导体；并按严重程度对所有发现项进行排序。触发条件：ecss、e-st-20-electrical-scope、e2006-common-charging-engineering-concerns、surface-charge-buildup、internal-charge-deposition、differential-potential-esd、buried-charge-breakdown、dielectric-bulk-field、floating-conductor-bonding。

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