e2008-blocking-diode-test

当需要设置、判定或重复进行阻塞二极管反向电流测试时，请按以下要求执行：根据ECSS-E-ST-20-08C第5.5.3.3.6条款，计算太阳阵列阻塞二极管在其支路在飞行中可能达到的最高开路电压下所通过的反向电流；该最恶劣偏置条件应基于低温工况下的电池开路电压、串联电池数量以及寿命初期裕量构建；若测试台施加的反向偏压低于此值，则应拒绝接受，因为未充分施加应力的二极管无法提供有效验证结果；所有测得的反向漏电流均应折算至参考结温；将每个二极管归类为“在限值内”、“超出限值”或“反向导通”；并汇总此时阵列所产生的寄生损耗。触发条件：ecss、e-st-20-electrical-scope、blocking-diode-reverse-current、worst-case-open-circuit-voltage、blocking-diode-leakage-limit、reverse-bias-adequacy-check、solar-array-blocking-diode-screening。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-12 20:00）：当需要设置、判定或重复进行阻塞二极管反向电流测试时，请按以下要求执行：根据ECSS-E-ST-20-08C第5
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v1	2026-11-12 19:59	c77c8bc3	可取

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