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e2008-blocking-diode-temperature-robustness
在计划或读取阻断二极管温度极端暴露时使用。验证阻断二极管器件在ECSS-E-ST-20-08C第12.6.10条款规定的服役温度极端条件下能否通过暴露测试:将每个浸泡温度保持在超出服役极值的声明裕度范围内,但不超过封装存储额定值;保持驻留时间和温变速率在其限值内;拒绝仅覆盖一个极端的方案;根据正向压降漂移和反向漏电流增长对每个器件进行分级;并统计通过测试的器件比例。触发条件:ecss、e-st-20-08c-clause-12-6-10、阻断二极管温度极端暴露、阻断二极管浸泡裕度超出服役极值、阻断二极管暴露后参数漂移、阻断二极管暴露驻留及温变速率、阻断二极管暴露后存活比例。
模型生成摘要(rules/v1 · 2026-11-12 17:35):在计划或读取阻断二极管温度极端暴露时使用
这是模型对公开材料的总结,不是官方声明,请以原链内容为准。
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存档时间线
| 版本 | 存档时间 | 内容哈希 | 内容 |
|---|---|---|---|
| v1 | 2026-11-12 17:34 | b04600ec | 可取 |
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