e2008-diode-temperature-annealing-test

在编写或审核保护二极管的退火稳定性结果时使用。验证外部保护二极管在高温退火保温过程中是否保持其电气参数，依据 ECSS-E-ST-20-08C 第 9.6.13 条款：将保温曲线与其下限值及封装额定值进行比对，通过阿伦尼乌斯因子将温度和时间转换为参考温度下的等效小时数，统计退火子组实际抽取的器件数量，匹配两个读取温度，并获取保温过程中的正向电压漂移、反向漏电流增长比和阻断电压漂移。触发条件：ecss, e-st-20-08c-clause-9-6-13, protection-diode-annealing-soak, diode-annealing-arrhenius-factor, diode-forward-voltage-annealing-drift, diode-reverse-leakage-growth-ratio, protection-diode-annealing-subgroup, diode-annealing-reading-temperature-match。

模型生成摘要（rules/v1 · 2026-11-12 15:08）：在编写或审核保护二极管的退火稳定性结果时使用
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版本	存档时间	内容哈希	内容
v1	2026-11-12 15:07	3dc38985	可取

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